1) Gate oxide
栅氧化层
1.
A unified percolation model for gate oxide breakdown;
栅氧化层击穿的统一逾渗模型
2.
A physical-based percolation model for gate oxide TDDB;
栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型
3.
Experimental Research on Breakdown Characteristics of Thin Gate Oxide;
薄栅氧化层击穿特性的实验研究
2) gate oxides
栅氧化层
1.
Constant voltage and constant current TDDB tests have been done on 2Onm gate oxides.
采用恒定电压和恒定电流试验方法对２０ｎｍ栅氧化层进行了ＴＤＤＢ可靠性评价试验，并完 成了１／Ｅ模型参数提取，给出了恒定电流应力下描述氧化层ＴＤＤＢ退化的统计模型，较好地解释了试验结 果。
3) Thin gate oxide
薄栅氧化层
1.
Research on TDDB of thin gate oxide;
薄栅氧化层的TDDB研究
2.
FN tunneling and hot hole (HH) stress induced leakage current (SILC) transient characteristics in thin gate oxide are investigated.
分别研究了FN隧穿应力和热空穴 (HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性 。
3.
High electric field annealing effect in thin gate oxide of MOS structure is studied in depth, and the detrapping mechanisms of trapped charge in the gate oxide are investigated.
深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应 ,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨 。
4) thin gate oxides
薄栅氧化层
1.
A substrate hot holes injection method is used to quantitatively examine the roles of electrons and holes separately in thin gate oxides breakdown.
利用衬底热空穴 (SHH)注入技术 ,分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响 ,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化 。
2.
Charge to breakdown of the thin gate oxides was tested and investigated by controlling the amounts of injected hot electrons and holes separately with substrate hot holes injection method.
利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和空穴量 ,对相关击穿电荷进行了测试和研究 。
5) ultra-thin gate oxide
超薄栅氧化层
1.
The breakdown characteristics of ultra-thin gate oxide n-MOSFET under voltage stress;
电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性
2.
Conduction mechanism of ultra-thin gate oxide n-MOSFET after soft breakdown;
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制
3.
The dynamic reliability of ultra-thin gate oxide and its breakdown characteristics;
动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价
6) gate-oxide-thickness
栅氧化层厚度
1.
This paper presents a method based on dual-gate-oxide-thickness assignment to reduce the total leakage power dissipation of SRAM in 45nm bulk technology.
提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法。
补充资料：二氧化双环戊二烯玻璃布层合板
分子式：
CAS号：
性质：以二氧化双环戊二烯为基料充分浸渍玻璃布后叠层，并在加热加压条件下层合而成的板材。相对密度1.73。马丁耐热>300℃。拉伸强度344MPa，弯曲强度521MPa，压缩强度312MPa，冲击强度267kJ/m2。体积电阻率1.1×1014Ω·cm，介电常数(106Hz)4.9。由二氧化双环戊二烯与固化剂及其他辅料配成胶液后，充分浸渍玻璃布，再叠层并层合而得。主要作航空、机械、电子、汽车工业用结构件。
CAS号：
性质：以二氧化双环戊二烯为基料充分浸渍玻璃布后叠层，并在加热加压条件下层合而成的板材。相对密度1.73。马丁耐热>300℃。拉伸强度344MPa，弯曲强度521MPa，压缩强度312MPa，冲击强度267kJ/m2。体积电阻率1.1×1014Ω·cm，介电常数(106Hz)4.9。由二氧化双环戊二烯与固化剂及其他辅料配成胶液后，充分浸渍玻璃布，再叠层并层合而得。主要作航空、机械、电子、汽车工业用结构件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条