1) gate oxide soft breakdown
栅氧化层软击穿
1.
The failure mechanism of gate oxide soft breakdown (as MOSFETs main failure mode) under electromagnetic pulse stress is analyzed,and it is obtained that this agrees to degradation failure model based on stochastic process.
通过分析电磁脉冲应力下,栅氧化层软击穿(MOS器件主要失效模式)的失效机理,得出结论:它符合基于随机过程的退化失效模型。
2) oxide film breakdown
氧化层击穿
1.
Dielectric oxide film breakdown mechanism of IC device in human body model;
HBM模型中IC器件氧化层击穿机理
4) Gate oxide
栅氧化层
1.
A unified percolation model for gate oxide breakdown;
栅氧化层击穿的统一逾渗模型
2.
A physical-based percolation model for gate oxide TDDB;
栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型
3.
Experimental Research on Breakdown Characteristics of Thin Gate Oxide;
薄栅氧化层击穿特性的实验研究
5) gate oxides
栅氧化层
1.
Constant voltage and constant current TDDB tests have been done on 2Onm gate oxides.
采用恒定电压和恒定电流试验方法对２０ｎｍ栅氧化层进行了ＴＤＤＢ可靠性评价试验，并完 成了１／Ｅ模型参数提取，给出了恒定电流应力下描述氧化层ＴＤＤＢ退化的统计模型，较好地解释了试验结 果。
6) cut through temperature
软化击穿温度
补充资料：软层
软层
soft sheaf
软层【，才t sheaf;M，rKH益ny，OK」 拓扑空问X上集合的层(sheaf)犷，它在X内闭子集上的截面都可扩张为不二在整个了上的截面{软层的例子是:X上任意一个集合层的不连续截面的芽层;仿紧空间(paracompact space)x上的松弛层(flabby sheaf);仿紧空问X上Abel群的优层(I劝esheaf).仿紧空间X上层，的软性是局部的:层.，是软的，当且仅当任意的x〔X都有一个开邻域U，使得.犷}。是U上软层.仿紧空间上的软层在任意闭子空间(当X可度量时，在任意局部闭子空间)上诱导一个软层.环的软层上的模层是软层. 如果 0~L犷。~.犷l一，…是仿紧空间X上Abel群的软层的正合列，则截面群的相应序列 0~‘了“(x)一，.犷‘(x)一，…也正合.仿紧空间X上Abel群的软层犷的上同调群H”(X，.了)当p>O时是平凡的.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条