1) gate-oxide leakage current
栅氧化层漏电流
1.
By simultaneously reducing subthreshold and gate-oxide leakage currents in dominio logic circuits,the proposed technique improve the performance and the power consumption of the circuits as compared to the dual threshold voltage dominio logic circuits with NMOS sleep transistors.
使用这种电路设计技术,可以同时减小多米诺逻辑电路中的亚阈值漏电流和栅氧化层漏电流,与带有NMOS休眠管的双阈值电压多米诺逻辑电路比较,可以改善电路性能和功耗。
2) gate-leakage current
栅漏电流
1.
The impact of gate-leakage current on device characteristic becomes obvious with the continuous scaling of MOSFETs.
随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。
3) gateoxidelayer conductance
栅氧化层电导
4) gate leakage current
栅极漏电流
5) gate-contact leakage current
栅结漏电流
6) Gate oxide
栅氧化层
1.
A unified percolation model for gate oxide breakdown;
栅氧化层击穿的统一逾渗模型
2.
A physical-based percolation model for gate oxide TDDB;
栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型
3.
Experimental Research on Breakdown Characteristics of Thin Gate Oxide;
薄栅氧化层击穿特性的实验研究
补充资料：二氧化双环戊二烯玻璃布层合板
分子式：
CAS号：
性质：以二氧化双环戊二烯为基料充分浸渍玻璃布后叠层，并在加热加压条件下层合而成的板材。相对密度1.73。马丁耐热>300℃。拉伸强度344MPa，弯曲强度521MPa，压缩强度312MPa，冲击强度267kJ/m2。体积电阻率1.1×1014Ω·cm，介电常数(106Hz)4.9。由二氧化双环戊二烯与固化剂及其他辅料配成胶液后，充分浸渍玻璃布，再叠层并层合而得。主要作航空、机械、电子、汽车工业用结构件。
CAS号：
性质：以二氧化双环戊二烯为基料充分浸渍玻璃布后叠层，并在加热加压条件下层合而成的板材。相对密度1.73。马丁耐热>300℃。拉伸强度344MPa，弯曲强度521MPa，压缩强度312MPa，冲击强度267kJ/m2。体积电阻率1.1×1014Ω·cm，介电常数(106Hz)4.9。由二氧化双环戊二烯与固化剂及其他辅料配成胶液后，充分浸渍玻璃布，再叠层并层合而得。主要作航空、机械、电子、汽车工业用结构件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条