1) proximity lithography
接近式光刻
1.
Computer simulation of diffraction intensity in proximity lithography;
接近式光刻衍射光场的快速计算机模拟
2.
The light density on the wafer mainly depends on the diffraction produced by the gap between the mask and the wafer in proximity lithography.
在接近式光刻中,衬底上的光强分布主要是受掩模与衬底间的间隙引起的衍射影响。
2) proximity UV-lithography
接近式紫外光刻
1.
Theoretical Analysis and Pre-compensation Simulation of Pattern Distortion in Proximity UV-lithography;
接近式紫外光刻中图形失真的分析与预修正仿真
2.
To give an error analysis of this effect,the propagation of partial coherent light in the proximity UV-lithography was investigated and the relative theoretical model was proposed.
为此,研究了接近式紫外光刻中部分相干光的传播过程,建立了相应的光刻理论模型,对光刻成像中的误差产生机理进行分析。
3.
The light source of proximity uv-lithography is extended incoherent quasi-monochronmatic.
基于Hopkins公式,研究了接近式紫外光刻中扩展准单色光源经柯勒照明系统传播到掩模表面上任两点的复相干度,并建立相应的基于部分相干光理论的光刻模型。
3) Proximity aligner
接近式光刻机
4) Proximity X-ray lithography
接近式X射线光刻
5) Proximity Deep Stepper
接近式深度光刻机
1.
An Investigation on Diffraction between Mask and Wafer of Proximity Deep Stepper;
接近式深度光刻机掩模-硅片间的衍射研究
6) Proximity Aligners
近式光刻机
补充资料：接近式光刻
分子式：
CAS号：
性质： 又称非接触式光刻。使涂敷在基片上的光敏材料，经受穿过与其接近但不接触的光学掩模版的光辐照曝光，从而复印出光学掩模版图形的方法。
CAS号：
性质： 又称非接触式光刻。使涂敷在基片上的光敏材料，经受穿过与其接近但不接触的光学掩模版的光辐照曝光，从而复印出光学掩模版图形的方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条