1) contact photolithography
接触光蚀刻
2) contactless lithography
无接触光蚀刻
3) contact printing
接触式光刻
4) soft contact lithography
软接触式光刻
5) potoeching
光刻，光蚀
6) direct etching
直接刻蚀
1.
We for the first time in China carried out experiments on direct etching of monocrystal silicon with focused KrF excimer laser ( λ =248 nm) beam as shown in Fig.
采用非稳腔的聚焦准分子激光 ( Kr F,λ=2 4 8nm)对单晶硅材料进行直接刻蚀 ,从微结构刻蚀的形状尺寸及加工过程的热效应等方面研究了准分子激光直接刻蚀单晶硅的加工特性。
2.
Based on the laser ablation mechanism, the effect of vapor pressure and thermal conduction on the quality of pattern etching in direct etching with an excimer laser is analyzed.
在激光剥离机制的基础上，分析了激光直接刻蚀过程中，蒸气压及热传导对图形刻蚀质量的影响，并得出了刻蚀不同厚度Ａｌ膜的激光能量密度、脉冲频率和刻蚀脉冲数的最佳组合。
补充资料：接触式光刻
分子式：
CAS号：
性质：一种原始的复制工艺。将光学掩模版图形面与待光刻区域光致抗蚀剂(或感光乳胶)表面接触而曝光。
CAS号：
性质：一种原始的复制工艺。将光学掩模版图形面与待光刻区域光致抗蚀剂(或感光乳胶)表面接触而曝光。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条