3) near uv exposure
近紫外线曝光
4) ultraviolet exposure
紫外线曝光
5) proximity UV-lithography
接近式紫外光刻
1.
Theoretical Analysis and Pre-compensation Simulation of Pattern Distortion in Proximity UV-lithography;
接近式紫外光刻中图形失真的分析与预修正仿真
2.
To give an error analysis of this effect,the propagation of partial coherent light in the proximity UV-lithography was investigated and the relative theoretical model was proposed.
为此,研究了接近式紫外光刻中部分相干光的传播过程,建立了相应的光刻理论模型,对光刻成像中的误差产生机理进行分析。
3.
The light source of proximity uv-lithography is extended incoherent quasi-monochronmatic.
基于Hopkins公式,研究了接近式紫外光刻中扩展准单色光源经柯勒照明系统传播到掩模表面上任两点的复相干度,并建立相应的基于部分相干光理论的光刻模型。
6) proximity exposure
接近式曝光
1.
A x-y 2 dimension precision motion stage used in proximity exposure system was developed to meet the demand of manufacturing micro-optical elements by mask moving exposure technique.
为满足掩模移动曝光技术制作微光学元件的要求,研制了接近式曝光系统中使用的x-y二维精密移动工件台。
2.
The history and recent advances of this technology are reviewed, especially emphasis on important technical accomplishments and challenges in X ray sources, proximity exposure and all reflective projection lithography.
重点讨论了在Ｘ射线源、接近式曝光和全反射投影曝光等方面取得的成就与存在的问题。
补充资料：紫外光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：用紫外光作曝光光源的光刻胶。一般是指分光感度波长为300～450nm的近紫外抗蚀剂。紫外光刻胶有负性、正性和正-负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶系抗蚀剂，正性代表品种是重氮萘醌系抗蚀剂，正负性抗蚀剂是为了兼顾其既有正性又有负性的性能，往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题，目前尚未商品化。
CAS号：
性质：用紫外光作曝光光源的光刻胶。一般是指分光感度波长为300～450nm的近紫外抗蚀剂。紫外光刻胶有负性、正性和正-负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶系抗蚀剂，正性代表品种是重氮萘醌系抗蚀剂，正负性抗蚀剂是为了兼顾其既有正性又有负性的性能，往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题，目前尚未商品化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条