1) AlGaN
铝镓氮
1.
But in the high-quality AlGaN/GaN heterostructure, there will be two dimensional electron gas (2DEG) system with high electronic density on the surface of heterostructure, even though all layers were.
但在高质量的铝镓氮/氮化镓异质结中,即使所有的层均不人为掺杂,仍可以在异质界面上形成高的面电子密度的二维电子气体系。
2) aluminium gallium nitride alloys
氮化铝镓
3) InAlGaN
铟铝镓氮
4) AlInGaN
铝铟镓氮
1.
AlInGaN quaternary alloys were successfully grown on sapphire substrate by radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy(RF-MBE).
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测。
5) AlGaN/GaN
氮镓铝/氮化镓
6) AlGaN/PZT
铝镓氮/钛酸铝
补充资料：磷化铝镓单晶
分子式：Ga1-xAlxP；0≤x≤1
CAS号：
性质：共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度随z变化在2.26～2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。
CAS号：
性质：共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度随z变化在2.26～2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条