1) Ge on GaAs
Ge/GaAs
3) GaInP_2/GaAs/Ge
CaInP_2/GaAs/Ge
1.
The Study on Growth of GaInP_2/GaAs/Ge Dual-junction Solar Cell and Processing of Solar Concentrators;
本文致力于用自制的低压MOCVD装置进行CaInP_2/GaAs/Ge空间用高效级联太阳能电池制作的工艺以及聚光太阳能电池组件的研究。
4) GaAs/Ge solar cell
GaAs/Ge太阳电池
1.
Property degradation of GaAs/Ge solar cell at proton irradiation;
质子辐射下GaAs/Ge太阳电池的性能退化
2.
Study on anti-electron radiation of GaAs/Ge solar cells;
GaAs/Ge太阳电池抗电子辐射研究
3.
High-energy proton irradiation effects on GaAs/Ge solar cells for space use;
空间实用GaAs/Ge太阳电池高能质子辐射效应研究
5) GaAs/Ge solar cells
GaAs/Ge太阳电池
1.
The Study of Electrical Property Degradation of GaAs/Ge Solar Cells by Electron and Proton Co-Irradiation;
质子和电子共同辐照下GaAs/Ge太阳电池电性能退化研究
6) GaInP/GaAs/Ge solar cells
GaInP/GaAs/Ge太阳电池
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条