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1)  GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP
GaInP/(AlxGa1-x)InP
2)  Al_xGa_(1-x)N
AlxGa1-xN
1.
The effect of strain on band structure and bowing parameters of Al_xGa_(1-x)N which is pseudomorphically strained was analyzed theoretically.
在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。
3)  Al_xGa_(1-x)As
AlxGa1-xAs
1.
The wet oxidation of buried Al_xGa_(1-x)As was investigated.
详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。
4)  GalnP/GaAs/Ge
GaInP/GaAs/Ge
例句>>
5)  GaInP growth
GaInP生长
6)  In x Ga 1-x As/InP
In0.63Ga0.37As/InP
补充资料：indium phosphide (inp)
CAS：22398-80-7
中文名称：磷化铟；磷化铟晶体INP
英文名称：indium phosphide；indium monophosphide；indium phosphide (inp)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条