1) 3UCVD
超高真空、超低压、深紫外光能辅助化学气相淀积
2) UVCVD
紫外光能量辅助化学气相淀积
3) UHV/CVD
超高真空化学气相淀积
1.
Ge_xSi_(1-x) crystal was grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) at 650℃, results showed that O_2 and/or H_2O caused the surface of the grown materials irregular in the growth process.
利用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在 ６５０℃生长出表面光亮的 ＧｅＳｉ单晶 在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械系间串接 ４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境串接分子泵后生长的 样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为 １９８ａｒｃｓｅｃ， 且出现了 Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条 纹，说明外延层结晶质量很好。
2.
In this paper,intrinsic silicon epitaxial layers were grown on N type(As doped) substrate by UHV/CVD,which were then characterized using SPR,AFM and DCXRD methods.
文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。
3.
Stacked Ge quantum dots are grown on Si(100) by u ltra-high vacuum chemical vapor deposition(UHV/CVD).
用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点 。
4) VLP-CVD
超低压化学气相淀积
1.
Temperature Dependence of Self organized Growth of Ge Quantum Dots on Si Substrate by VLP-CVD;
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。
5) UHV-CVD
超高真空化学气相沉积
1.
According to the delay in nucleation of SiGe on SiO_2 surface at low temperature,an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHV-CVD)technique was adopted.
利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点,采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术,550℃下,在硅光刻窗口处,选择性生长了锗硅外延层。
6) UHVCVD
超高真空化学气相沉积
1.
Poly-SiGe films prepared by metal-induced growth using UHVCVD system;
金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜
2.
Poly-SiGe films are prepared using a metal-induced growth technique with an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system at low temperatures.
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜。
3.
Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD) was a good choice, it provided a super clean, low temperature, low pressure ambient, and controlled thin films' growth precisely.
超高真空化学气相沉积(UHVCVD)具有超净的生长环境、能够在低温、低压下生长锗硅材料,可精确控制薄膜生长等优点。
补充资料：景超（晋江州庐山香积庵）《宋高僧传》卷第二十三
【景超（晋江州庐山香积庵）《宋高僧传》卷第二十三】
释景超。不知何许人也。素持戒范若护浮囊。性惟矢直言不面从。及乎游方役足选胜栖身。至于庐峰便有息行之意。惟诵法华鞠为恒务。九江之人且多景仰。尝礼华严经一字拜之。计已二遍。乃烧一指为灯供养。庆礼经周矣。次礼法华经同前。身肤内隐隐出舍利。磊落圆莹。或有求者。坐席行地拾之无算。天福中卒于庵中。今坟塔在乎庐阜。游者致礼嗟叹而已。
［赞宁］系曰。言遗身者。必委弃全躯如萨埵王子是欤。今以指为灯以肱擎炷。何预斯例。莫过幸否。通曰。炼指断肱是遗身之加行也。况复像末尤成难事。其犹守少分之廉隅入循吏传同也。
释景超。不知何许人也。素持戒范若护浮囊。性惟矢直言不面从。及乎游方役足选胜栖身。至于庐峰便有息行之意。惟诵法华鞠为恒务。九江之人且多景仰。尝礼华严经一字拜之。计已二遍。乃烧一指为灯供养。庆礼经周矣。次礼法华经同前。身肤内隐隐出舍利。磊落圆莹。或有求者。坐席行地拾之无算。天福中卒于庵中。今坟塔在乎庐阜。游者致礼嗟叹而已。
［赞宁］系曰。言遗身者。必委弃全躯如萨埵王子是欤。今以指为灯以肱擎炷。何预斯例。莫过幸否。通曰。炼指断肱是遗身之加行也。况复像末尤成难事。其犹守少分之廉隅入循吏传同也。
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