1) carbon-assisted CVD method
碳辅助化学气相沉积法
1.
High-density SiO_x nanowires were fabricated on a large-scale using carbon-assisted CVD method by Fe—Al—O catalyst at 1140℃ in flowing N_2/H_2,N_2 and NH_3 atmospheres.
以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线。
3) EA-HFCVD
电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)
4) bias enhanced nucleation hot filament chemical vapor deposition
偏压增强成核-热丝辅助化学气相沉积法
6) electrostatic spray assisted vapor deposition (ESAVD)
静电辅助的气溶胶化学气相沉积
1.
Y2O3 thin films were successfully deposited onto Si (100) substrates by the electrostatic spray assisted vapor deposition (ESAVD) method.
采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征。
补充资料：化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法，常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料，是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如，高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜，这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
CAS号：
性质：利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法，常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料，是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如，高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜，这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条