1) vacuum chemical vapor deposition
真空化学汽相淀积
2) UHV/CVD
超高真空化学气相淀积
1.
Ge_xSi_(1-x) crystal was grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) at 650℃, results showed that O_2 and/or H_2O caused the surface of the grown materials irregular in the growth process.
利用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在 ６５０℃生长出表面光亮的 ＧｅＳｉ单晶 在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械系间串接 ４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境串接分子泵后生长的 样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为 １９８ａｒｃｓｅｃ， 且出现了 Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条 纹，说明外延层结晶质量很好。
2.
In this paper,intrinsic silicon epitaxial layers were grown on N type(As doped) substrate by UHV/CVD,which were then characterized using SPR,AFM and DCXRD methods.
文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。
3.
Stacked Ge quantum dots are grown on Si(100) by u ltra-high vacuum chemical vapor deposition(UHV/CVD).
用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点 。
3) chemical vapor deposition
化学汽相淀积
1.
The design of system and technology for depositing silicon-nitride film microlenses by laser chemical vapor deposition (LCVD) are introduced.
本文介绍了采用激光化学汽相淀积（LCVD）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。
4) CVD
化学汽相淀积
1.
sing CH_4,CCl_4 and H_2 mixtures as source materials,We successfully synthe-sized diamond thin films at 570～580℃by the microwave plasma CVD process.
含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。
2.
Oriented (100) diamond film is deposited on silicon substrate by adjusting process parameters without use of other assisted measures in hot-filament CVD system.
采用热丝化学汽相淀积 (CVD) ,未用别的辅助措施 ,合成了 (10 0 )晶面的金刚石膜。
6) chemical vapor deposition film
化学汽相淀积膜
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条