1) Iron plating without anodic etching
无刻蚀镀铁
2) iron electroplating without pre-etching
无刻蚀低温镀铁
1.
Based on a new process of low temperature iron electroplating without pre-etching, We use power supply of asymmetry AC-DC electroplating made by ourselves to carry out iron electroplating and composite electroplating.
本实验采用无刻蚀低温镀铁工艺，使用自行研制的不对称交一直流镀铁电源进行电镀铁和复合电镀铁。
3) Dong's Iron Plating Technique
董氏无刻蚀镀铁工艺
4) Dong's Iron Plating Technology
董氏无刻蚀镀铁技术
5) with no need of etching technology
无刻蚀
1.
A Fe-Al2O3 composite plating deposit was obtained based on non-etching iron dichloride iron plating process with addition of Al2O3 inert particles in ferrous chloride single salt solution (ferrous chloride concentration of 300 ~ 400 g/L) with no need of etching technology.
以二氯化铁无刻蚀电镀工艺为基础,在氯化亚铁单盐(ρ=300~400g/L)中加入Al2O3惰性粒子,制备了Fe–Al2O3复合镀层。
6) process,sputter etch
溅镀蚀刻工艺
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条