1) Non-mask etch of n-GaAs
n-GaAs无掩模刻蚀
2) etching mask
刻蚀掩模
1.
Photoresist was used as etching mask for HgCdTe inductively coupled plasma(ICP) enhanced reactive ion etching(RIE) process.
文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。
2.
The etching mask for polymeric optical waveguide are systematically investigated.
主要针对聚合物波导制备中的关键技术———刻蚀掩模,进行了系统的研究。
3) mask-based lithography
有掩模刻蚀
4) maskless lithography
无掩模光刻
1.
The present and the problem of the maskless lithography wereintroduced.
介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析。
2.
Methods of zone plates array or photon sieves array maskless lithography are depicted.
描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消除措施,表明了波带片光刻有光刻对比度和高光刻分辨率受限于最小结构尺寸两个技术难点。
3.
Furthermore,EUV lithography,maskless lithography and nano-imprint lithography will become the main study topics for 22 nm and 16 nm.
指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。
5) maskless etch
无掩模腐蚀
6) metal-etched photomask
金属腐蚀的光刻掩模
补充资料：模刻
1.照原样摹写镌刻。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条