1) resistless photochemical etching
无抗蚀膜光化学蚀刻
1.
A new method of resistless photochemical etching for silicon wafer is developed, which is using hydrogen peroxide (H 2O 2) and hydrogen fluoride (HF) as activated species, ArF ultraviolet laser as a photon source.
研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法 ,使用过氧化氢 (H2 O2 )和氟酸 (HF)作为光化学媒质 ,使用ArF紫外激光作为光源 ,无需事先加工抗蚀膜 ,可直接在硅表面进行蚀刻。
2) optical chemical etching
光化学蚀刻
1.
This article studies the process used optical chemical etching and electrochemical polishing synthetically,discusses the influence of the factor in the process and the application range of this process.
研究了光化学蚀刻与电化学抛光相结合的加工工艺 ,讨论了加工过程中各种因素对加工的影响及加工工艺的适用场合。
3) photochemical etching
光化蚀刻
1.
With the continuousgrowth of electronic technology, photochemical etching tech-nology has expanded into many new application fields and aproduction scale is formed.
介绍了光化蚀刻的由来和传统工艺流程中五种掩膜的制作方法及四种现代的光化蚀刻法流程及其应用范围。
4) chemical polish etching
化学抛光刻蚀
5) Silicon photo-electrochemical etching
硅光电化学刻蚀
补充资料：干膜光致抗蚀剂
分子式：
CAS号：
性质： 将无溶剂型光致抗蚀剂涂在涤纶片基上，再覆上聚乙烯薄膜。使用时揭去聚乙烯薄膜，把干胶层压在版基上，经曝光显影处理，即可形成图像。主要是利用多官能团的丙烯酸酯类单体或带双键的丙烯酸酯光敏树脂在光引发剂存在下，由光引发聚合反应产生交联结构而达到成像目的。多用于印刷线路板等的生产。
CAS号：
性质： 将无溶剂型光致抗蚀剂涂在涤纶片基上，再覆上聚乙烯薄膜。使用时揭去聚乙烯薄膜，把干胶层压在版基上，经曝光显影处理，即可形成图像。主要是利用多官能团的丙烯酸酯类单体或带双键的丙烯酸酯光敏树脂在光引发剂存在下，由光引发聚合反应产生交联结构而达到成像目的。多用于印刷线路板等的生产。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条