1) p-GaN
p-氮化镓
2) p-GaN
p型氮化镓
1.
Ni layer thickness and Ni layer annealing process which affect Ni/ITO-p-GaN ohmic contact were studied through CTLM,I-V curve,surface morphology,optical data etc.
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。
3) InGaN/GaN
氮镓铟/氮化镓
1.
Investigation on Optical Properties of Different Width InGaN/GaN Quantum Well;
不同厚度氮镓铟/氮化镓量子阱的光学特性研究
4) AlGaN/GaN
氮镓铝/氮化镓
5) GaN
[英][ɡæn] [美][gæn]
氮化镓
1.
Synthesis of Nanocrystalline GaN by the Sol-gel Method;
采用溶胶凝胶前驱物制备氮化镓纳米晶体
2.
Fabrication of nanoporous GaN films with AAO masks and ICP etching;
纳米孔氮化镓材料的制备和研究
3.
Structural characterization of high quality GaN nanowires;
高质量氮化镓纳米线的结构表征
6) aluminium gallium nitride alloys
氮化铝镓
补充资料：氮化镓
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条