说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> p型氮化镓
1)  p-GaN
p型氮化镓
1.
Ni layer thickness and Ni layer annealing process which affect Ni/ITO-p-GaN ohmic contact were studied through CTLM,I-V curve,surface morphology,optical data etc.
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。
2)  p-GaN
p-氮化镓
3)  InGaN/GaN
氮镓铟/氮化镓
1.
Investigation on Optical Properties of Different Width InGaN/GaN Quantum Well;
不同厚度氮镓铟/氮化镓量子阱的光学特性研究
4)  AlGaN/GaN
氮镓铝/氮化镓
5)  GaN [英][ɡæn]  [美][gæn]
氮化镓
1.
Synthesis of Nanocrystalline GaN by the Sol-gel Method;
采用溶胶凝胶前驱物制备氮化镓纳米晶体
2.
Fabrication of nanoporous GaN films with AAO masks and ICP etching;
纳米孔氮化镓材料的制备和研究
3.
Structural characterization of high quality GaN nanowires;
高质量氮化镓纳米线的结构表征
6)  aluminium gallium nitride alloys
氮化铝镓
补充资料:氮化镓
分子式:
CAS号:

性质:白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性,不溶于水,不与水和浓无机酸反应,稍与稀酸作用,缓慢与碱液反应,空气中加热800℃开始氧化,生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050~1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条