1) Cu-In precursor
Cu-In前驱膜
1.
The structural phase transformation of Cu-In precursors for CIS solar cells was investigated.
为考察CIS薄膜太阳能电池Cu-In前驱膜结构相变规律,采用电沉积法制备Cu-In前驱膜,并对前驱膜进行真空退火热处理。
2.
The influence of Cu-In precursors with Cu_7In_3 phase structure on the micro-structure ot CuInS_2 films was investigated.
为考察具有Cu_7In_3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS_2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进行真空退火处理制备Cu_7In_3前驱膜。
2) precursor film
前驱膜
1.
It was discov-ered that a precursor film on the edge between alloy's drop and the substrate was spread gradu-ally,meanwhile,a crack was formed at the cross-section of Cu_(85)Sn_(10)Ti_5/sintered SiC.
在 Cu-Sn-Ti 合金与两种碳化硅垫片的铺展前沿均发现有前驱膜存在,同时在 Cu_(85)Sn_(10)Ti_5与烧结碳化硅的界面发现裂纹。
2.
CuIn,CuAl and CuInAl(CIA) precursor films were prepared using middle frequency magnetron sputtering.
CIA前驱膜是以CuIn和In为基础相,Al原子主要是以替代In原子的固溶体形式存在。
3.
CuIn,CuGa and CuInGa(CIG) precursor films were prepared using middle frequency magnetron sputtering.
CIG前驱膜是以Cu11In9为基础相,Ga原子主要是以替代In原子的固溶体形式存在。
3) Precursor of carbon film
炭薄膜的前驱体
4) Cu film
Cu膜
1.
Radio-frequency influences on Cu film deposited by unbalanced magnetron sputtering;
射频对非平衡磁控溅射沉积Cu膜的影响
2.
Study of Cu film deposited by high density plasma enhanced nonequilibrium magnetron sputtering;
高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究
3.
Cu films were prepared at room temperature by DC magnetron sputtering of Cu targets.
在室温条件下,用直流磁控溅射Cu靶制备出了不同厚度的Cu膜,测量了Cu膜的光学透过率和面电阻,分析了光电性质薄膜厚度的变化情况。
5) Cu films
Cu膜
1.
A study on the optical constants of Cu bulk and Cu films;
Cu块材及Cu膜的光学常数研究
2.
Cu films were deposited on carbon steel substrates at low temperatures(LT,164 K-115 K) and room temperature(RT) by ion plating.
采用离子镀技术于45#钢基体表面在低温(164~115 K)和常温(291 K)条件下沉积Cu膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究Cu膜的晶体结构及其表面形貌,采用划痕试验法测量Cu膜的临界载荷(Lc),在真空球-盘摩擦磨损试验机上考察其摩擦磨损性能并探讨其磨损机理。
3.
The Cu films were then characterized with X-ray diffraction (XRD), Auger electron spectroscopy (AES) and atomic force microscopy (AFM) .
用射频磁控反应溅射法在Si(111)单晶基体上沉积ZrN扩散阻挡层,随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(UBMS)沉积Cu膜。
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条