1) Cu thin film
Cu薄膜
1.
Influence of argon ion bombardment and sputtering power on the structure and properties of Cu thin film
氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响
2) copper thin film
Cu薄膜
1.
An in situ method for characterizing the kinetics of the oxidation process of copper thin films via sheet resistance;
方块电阻法原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律
3) Cu-W thin film
Cu-W薄膜
1.
The surface morphology evolution and phase structures of Cu-W thin films with annealing temperatures were investigated.
提出了一种基于离散小波变换和分形几何概念定量描述薄膜表面形貌各向异性的新方法,并据此研究了磁控溅射Cu-W薄膜表面结构特征随退火温度的演变。
4) Cu-W thin films
Cu-W薄膜
1.
The evolution of surface morphology of Cu-W thin films with deposition time on silicon wafers was studied by discrete wavelet transform (DWT).
Cu-W薄膜在溅射时间超过600 s时才达到稳定。
5) Ag/Cu thin film
Ag/Cu薄膜
1.
Simulation of annealing stress in Ag/Cu thin films;
对Ag/Cu薄膜退火应力的模拟
6) Cu/Ta thin film
Cu/Ta薄膜
补充资料：Cu
铜
元素中文名:铜 原子量：55.847 熔点：1083c 原子序数：29
元素英文名: copper 价电子：3d10 沸点：2567c 核外电子排布:2,8,18,1
元素符号： cu 英文名： copper 中文名： 铜
相对原子质量： 63.55 常见化合价： +1,+2 电负性： 1.9
外围电子排布： 3d10 4s1 核外电子排布： 2,8,18,1
同位素及放射线： cu-61[3.4h] cu-62[9.7m] *cu-63 cu-64[12.7h] cu-65 cu-67[2.6d]
电子亲合和能： 118.3 kj·mol-1
第一电离能： 745 kj·mol-1 第二电离能： 1958 kj·mol-1 第三电离能： 3555 kj·mol-1
单质密度： 8.96 g/cm3 单质熔点： 1083.0 ℃ 单质沸点： 2567.0 ℃
原子半径： 1.57 埃 离子半径： 0.73(+2) 埃 共价半径： 1.17 埃
常见化合物： cuo cu2o cu2s cucl2 cu(oh)2 cuso4 cufes2 [cu(nh3)2]oh cuf2 cubr2
发现人： 远古就被发现 时间： 0 地点： 未知
名称由来：
元素符号来自拉丁文“cuprum”（以铜矿著称的塞浦路斯岛）。
元素描述：
柔韧有延展性的红棕色金属。
元素来源：
自然界很少存在铜单质。铜元素通常只见于硫化物如黄铜矿(cufes2)、coveline(cus)、辉铜矿，或者氧化物如赤铜矿中。
元素用途：
主要用作导体，也用于制造水管。铜合金可用作首饰和钱币的材料。
网络用语:see you，再见
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条