1) tunneling magnetoresistance
隧道磁电阻
1.
The EH results reveal that the annealing process can well improve the quality of interfaces between barrier and ferromagnetic electrodes, and of AlO_x barrier itself, which are responsible for the improvement of tunneling magnetoresistance in MTJs after anneal at 280?℃.
这与该磁性隧道结经过280℃退火处理后,隧道磁电阻值大大增加是一致的。
2.
With plasma oxidization to create an insulating layer of Al\-2O\-3,we have repeatedly fabricated Ni 80 Fe 20 /Al\-2O\-3/Co magnetic tunnel junctions which show obvious tunneling magnetoresistance (TMR) effect.
样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ） 比值在室温下最高可达６－０ ％ ，翻转场（ｓｗｉｔｃｈ ｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ ，平台宽度约２４００Ａ／ｍ 。
3.
The spin-polarized transport and tunneling magnetoresistance(TMR) in ferromagnet/half-metal/ferromagnet tunnel junctions are studied by quantum-mechanical tunneling method.
运用量子力学的隧穿方法讨论一个铁磁/半金属/铁磁隧道结(FM/HM/FM)中的自旋极化输运和隧道磁电阻(TMR)。
3) TMR
隧道磁电阻
1.
The V -I characteristics and tunnel - magneto resistance (TMR) of the junctions were measured and discussed.
采用磁控溅射技术制备了Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结样品,观测了该隧道结次伏安特性及隧道磁电阻的磁化曲线。
5) tunneling magnetoresistance
隧道磁电阻效应
1.
In recent years,large magnetic entropy change and tunneling magnetoresistance effects in magnetic perovskite-type compounds have been observed.
类钙钛矿型材料是一类物理内涵极其丰富的化合物,它是著名的高温超导材料、铁电材料、压电材料,又是庞磁电阻效应材料,目前又显示出具有大磁熵变效应与隧道磁电阻效应。
2.
The microstructure of the film,its magnetic properties and tunneling magnetoresistance effect (TMR) were systematically studied.
由 Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率 P和 Co的原子百分数 x的关系曲线和实验测得的 RTMR ～ x曲线具有相似的变化趋势 。
3.
The history and applications of tunneling magnetoresistance are described briefly.
回顾了隧道磁电阻效应发展简史及其应用 ,报道了锌铁氧体 氧化铁二相纳米复合材料在室温具有巨磁隧道电阻效应的实验结果 ,该实验结果表明锌铁氧体是具有高自旋极化率的一类新材料 ,值得进一步开展相关的研究工作 。
6) tunneling magneto-resistance (TMR)
隧道型磁电阻
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条