1) tunneling magnetoresistance (TMR) effect
隧道磁电阻(TMR)效应
3) tunneling magnetoresistance
隧道磁电阻效应
1.
In recent years,large magnetic entropy change and tunneling magnetoresistance effects in magnetic perovskite-type compounds have been observed.
类钙钛矿型材料是一类物理内涵极其丰富的化合物,它是著名的高温超导材料、铁电材料、压电材料,又是庞磁电阻效应材料,目前又显示出具有大磁熵变效应与隧道磁电阻效应。
2.
The microstructure of the film,its magnetic properties and tunneling magnetoresistance effect (TMR) were systematically studied.
由 Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率 P和 Co的原子百分数 x的关系曲线和实验测得的 RTMR ～ x曲线具有相似的变化趋势 。
3.
The history and applications of tunneling magnetoresistance are described briefly.
回顾了隧道磁电阻效应发展简史及其应用 ,报道了锌铁氧体 氧化铁二相纳米复合材料在室温具有巨磁隧道电阻效应的实验结果 ,该实验结果表明锌铁氧体是具有高自旋极化率的一类新材料 ,值得进一步开展相关的研究工作 。
4) tunnelling magnetoresistance
隧穿磁电阻(TMR)
1.
The mechanism,characteristics,primary applications,background,and latest research on the tunnelling magnetoresistance effects of magnetic tunnel junctions(MTJs) are reviewed.
文章概括地介绍了磁性隧道结(MTJs)的隧穿磁电阻(TMR)效应的产生机理和特点,主要用途和研究背景以及最近几年的研究进展和现状。
6) TMR
隧道磁电阻
1.
The V -I characteristics and tunnel - magneto resistance (TMR) of the junctions were measured and discussed.
采用磁控溅射技术制备了Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结样品,观测了该隧道结次伏安特性及隧道磁电阻的磁化曲线。
补充资料：隧道效应（tunneleffect）
隧道效应（tunneleffect）
两块导体间夹有绝缘层（N-I-N）后（也可是空间），在小电压下，电子动能虽小于绝缘层势垒的高度，但仍有概率隧穿势垒而有隧道电流，这现象称隧道效应，也可包括伴随的有关效应在内。电子隧穿绝缘层势垒的概率随隧道电流随绝缘层厚度的增大而指数下降，也与绝缘材料的性质有关（如势垒的高低）。有超导体参与的隧道效应，如超导体（S）与正常金属（N）中间夹一绝缘介质层（I）的系统称S-I-N隧道结，又如S1-I-S2隧道结，S-I-S和S-N-S结等，这些简称为隧道结，也包括N-I-N在内。它们的隧道效应各有其相应的性质。对S-I-S结，通常绝缘层厚度在几百埃至几十埃时发生的是正常电子隧道效应，在10埃左右可呈现有超导电子对的隧道效应。以绝缘结层区的形状又可分为矩形结和圆柱形等结。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条