1) magnetic tunnel junction
磁隧道结
1.
The samples of the Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20 magnetic tunnel junction were prepared with the magnetron-sputtering technique and annealed then under various condition.
为提高磁隧道结磁电阻性能提供了新的尝试。
2) magnetic tunneling junction
磁隧道结
1.
The latest progresses of study on the magnetoresistance effect of MgO magnetic tunneling junctions are reported.
概述了近年来关于氧化镁磁隧道结磁电阻效应的最新研究进展,介绍了势垒层厚度、偏压、温度以及微结构等因素对磁电阻效应的影响。
3) magnetic tunnel junction
磁性隧道结
1.
Microfabrication methods of magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance;
高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究
2.
Microfabrication of magnetic tunnel junctions on 4-inch Si/SiO_2 substrate;
4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备
3.
A simple method for studing the electron transport properties in the magnetic tunnel junction with an arbitrary barrier shape;
处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法
4) magnetic tunneling junction
磁性隧道结
1.
Fabrication and characterization of La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/Eu_2CuO_4/La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3 magnetic tunneling junctions;
La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/Eu_2CuO_4/La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3磁性隧道结的制备与表征
2.
Fully epitaxial Fe/MgO/Fe(001)magnetic tunneling junctions(MTJs)were fabricated on GaAs(001)-4×6 surface.
采用分子束外延技术在GaAs(001)-4×6衬底上外延出Fe/MgO/Fe(001)单晶磁性隧道结。
3.
Using ion\|beam\|sputtering technique, Fe/Al\-2O\-3/Fe magnetic tunneling junctions (MTJ) were fabricated.
用离子束溅射方法制备磁性隧道结 (MTJ) 。
5) tunneling magnetoresistance junctions
隧道磁阻结
6) magnetic tunnel junctions
磁性隧道结
1.
Electron holography investigation on the barrier structures of Co based magnetic tunnel junctions;
Co基磁性隧道结势垒结构的电子全息研究
2.
In this review article we present an overview update on spin-dependent tunnelling(SDT)in magnetic tunnel junctions in theory and experiments.
全面回顾和总结了磁性隧道结中自旋相关的隧穿这一研究领域的理论和实验方面的最新研究进展。
补充资料：`S_1-I-S_2`隧道结（$S_1-I-S_2$tunneljunction）
`S_1-I-S_2`隧道结（$S_1-I-S_2$tunneljunction）
是指两种不同超导体S1和S2间夹有绝缘介质层I的隧道结，其I-V特性曲线如图。
由于S1和S2不同，Δ1(T)和Δ2(T)也不等。图中Vmax=|Δ2-Δ1|/e，Vmax=(Δ1 Δ2)/e，在这两者之间是负阻区，而V≥Vmax时，隧道电流迅速上升并接近N-I-N的情景。由负电阻特性和电流的极大和极小可测定Δ1和Δ2。但在T=0K时，因没有热激发准粒子，所以只有当V≥(Δ1 Δ1)/e时才发生准粒子隧道效应。对S-I-S隧道结，Δ1=Δ2，其单电子隧道效应的I-V特性曲线类同于S-I-N的I-V曲线形状。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条