1) tunneling magnetoresistance junctions
隧道磁阻结
2) tunneling magnetoresistance
隧道磁阻
1.
Numerical calculations indicate that increasing bias voltage will enhance the spin injection efficiency(SIE) in single magnetic junction but decrease the tunneling magnetoresistance(TM.
数值计算表明,增加偏压对于提高单结的自旋注入效率是有利的,但会降低单结或由两个磁性隧道单结组成的双结的隧道磁阻(TMR)。
3) magnetic tunnel junction
磁隧道结
1.
The samples of the Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20 magnetic tunnel junction were prepared with the magnetron-sputtering technique and annealed then under various condition.
为提高磁隧道结磁电阻性能提供了新的尝试。
4) magnetic tunneling junction
磁隧道结
1.
The latest progresses of study on the magnetoresistance effect of MgO magnetic tunneling junctions are reported.
概述了近年来关于氧化镁磁隧道结磁电阻效应的最新研究进展,介绍了势垒层厚度、偏压、温度以及微结构等因素对磁电阻效应的影响。
6) TMR
隧道磁电阻
1.
The V -I characteristics and tunnel - magneto resistance (TMR) of the junctions were measured and discussed.
采用磁控溅射技术制备了Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结样品,观测了该隧道结次伏安特性及隧道磁电阻的磁化曲线。
补充资料：`S_1-I-S_2`隧道结（$S_1-I-S_2$tunneljunction）
`S_1-I-S_2`隧道结（$S_1-I-S_2$tunneljunction）
是指两种不同超导体S1和S2间夹有绝缘介质层I的隧道结，其I-V特性曲线如图。
由于S1和S2不同，Δ1(T)和Δ2(T)也不等。图中Vmax=|Δ2-Δ1|/e，Vmax=(Δ1 Δ2)/e，在这两者之间是负阻区，而V≥Vmax时，隧道电流迅速上升并接近N-I-N的情景。由负电阻特性和电流的极大和极小可测定Δ1和Δ2。但在T=0K时，因没有热激发准粒子，所以只有当V≥(Δ1 Δ1)/e时才发生准粒子隧道效应。对S-I-S隧道结，Δ1=Δ2，其单电子隧道效应的I-V特性曲线类同于S-I-N的I-V曲线形状。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条