1) scanning Auger electron spectroscopy
扫描俄歇电子能谱
1.
The diffusion mechanism of GaAs/Pd(50 ?)Ti(400 ?)Pd(400 ?) Au(2 000 ?) in different annealing condition was studied by scanning Auger electron spectroscopy method.
采用扫描俄歇电子能谱法 ,对GaAs/Pd( 50 )Ti( 4 0 0 )Pd( 4 0 0 )Au( 2 0 0 0 )在不同退火条件下多层膜间的扩散机制进行了研究 结果表明 ,薄膜与衬底结合较好 ,各层薄膜之间的扩散随退火温度的升高而更加充分 ,在 4 50℃以上退火后 ,各层薄膜之间发生了充分的扩散 ,并且薄膜与衬底结合更
2) Auger electron spectroscopy (AES)
俄歇电子能谱
1.
In this study, the Auger Electron Spectroscopy (AES) was used to study the adsorption process and initial stage of oxidation reactions on clean surface of pure iron,uranium and surface of their C~+ ion-implanted samples.
本文利用俄歇电子能谱(AES)研究了清洁纯铁、离子注入碳纯铁、清洁铀以及离子注入碳铀表面与氧气吸附及初始氧化的过程。
4) Auger electron spectroscopy
俄歇电子能谱
1.
The interface diffusion and reaction of the film were studied by using Auger electron spectroscopy (AES) depth profile and line shape analysis.
利用扫描俄歇电子能谱(AES)的表面成分分析、深度剖析和线形分析技术研究了热处理温度对Ta_2O_5/Si样品膜层和基底的界面化学状态和相互作用的影响规律。
2.
Interaction between U and Al, and growth mode were investigated by Auger electron spectroscopy (AES) and electron energy loss spectroscopy (EELS).
在俄歇电子能谱(AES)仪超高真空分析室中利用氩离子溅射沉积方法将Al沉积在U基体上。
3.
Auger electron spectroscopy (AES) analysis shows there is a significant diffusion and chemical reactions take place in the interface between metal uranium and aluminum film produced with circulated argon ion bombardment process, which results in the formation of UAl 3 and Al 2O 3 phases.
俄歇电子能谱分析结果表明 :循环氩离子轰击镀获得的铝薄膜和铀基体的界面扩散比未循环轰击镀的显著增强 ,且界面发生化学反应 ,生成了UAl3和Al2 O3相。
5) auger electron spectroscopy(AES)
俄歇电子能谱(AES)
6) AES
俄歇电子能谱
1.
A NEW METHOD FOR COMPENSATION OF THE CHARGING OF OXIDES DURING AES;
消除俄歇电子能谱实验中氧化物表面荷电的新方法
2.
XPS AND AES INVESTIGATION OF GaN FILMS GROWN BY MBE;
分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究
补充资料：俄歇电子能谱
测定俄歇电子的能量从而获得固体表面组成等信息的技术。处于激发态的原子可能发生两类过程（图1）。一类是内壳层空穴被外壳层电子所填充,由此释放出能量而产生X射线荧光。另一类是电子由外壳层落到内壳层，用所释放出来的能量打出一个其电离势更低的轨道电子（通常为价电子）。后一个过程称为俄歇过程,以发现此过程的法国科学家P.-V.俄歇命名，被打出来的电子称为俄歇电子。用光或电子轰击固体表面，都能产生俄歇效应。
俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。
俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条