1) TiO2-SiO2 thin film
TiO2-SiO2薄膜
1.
TiO2-SiO2 thin films were prepared on slide glass substrates by sol-gel method.
当SiO2添加量为30%时,在紫外光照1h时TiO2-SiO2薄膜的光催化活性最佳。
2) SiO2/TiO2 film
SiO2/TiO2薄膜
1.
The absorbablity and microstru cture of SiO2/TiO2 films were characterized by ultraviolet-visible spectros copy (UV-Vis) and atomic force microscopy (AFM).
借助于紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜分析了SiO2/TiO2薄膜吸光性能和显微结构。
3) TiO2/SiO2 thin films
TiO2/SiO2薄膜
1.
Zn doped TiO2/SiO2 thin films were prepared successfully by sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)成功制备了Zn掺杂的TiO2/SiO2薄膜。
4) Ag-TiO2/SiO2 film
Ag-TiO2/SiO2薄膜
5) SiO2-P2O5-TiO2 electrolyte membrane
SiO2-P2O5-TiO2电解质薄膜
1.
The sol-gel method was applied to prepare the SiO2-P2O5-TiO2 electrolyte membranes with high proton conductivity and chemical stability and low expenditure.
溶胶-凝胶法制备的SiO2-P2O5-TiO2电解质薄膜,具有较高的质子电导率和化学稳定性。
6) nanocomposie silica-titania thin films
SiO2-TiO2纳米复合薄膜
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条