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1)  amorphous germanium carbide
非晶碳化锗
2)  hydrogenated amorphous germaniun
氢化非晶锗
3)  germanium preamorphization
锗预非晶化
4)  amorphous germanium
非晶锗
5)  fluorinated amorphous carbon
氟化非晶碳
1.
Low-dielectric-constant fluorinated amorphous carbon films prepared by ECR-CVD;
ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜
6)  a-Si_xC_(1-x):H
非晶碳化硅
1.
The structural modulability and chemical stability of hydrogenated amorphous Silicon Carbide (a-Si_xC_(1-x):H) films makes it suitable as a barrier layer for low K porous dielectric films.
非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使其成为Cu/超低k多孔介电薄膜结构的扩散阻挡层优异候选材料。
补充资料:碳化硅晶须补强碳化硅陶瓷基复合材料
分子式:
CAS号:

性质:以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用,获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。

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