1) DC reactive co-sputtering
直流反应共溅射
2) DC reactive sputtering
直流反应溅射
1.
Preparation of Y_2O_3 buffer layer by DC reactive sputtering;
直流反应溅射法制备Y_2O_3隔离层的研究
2.
We have selected DC reactive sputtering to deposit AlN-Si3N4 film.
用直流反应溅射沉积AlN－Si3N4膜。
3) DC co-sputtering
直流共溅射
4) reactive co-sputtering
共反应溅射
1.
A new gate dielectric material,HfTiON,is deposited by reactive co-sputtering of Hf and Ti targets in N2/O2 ambient,followed by anneal in N2 at 600 °C and 800 °C respectively for 2 mins.
在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2min。
5) DC reactive magnetron sputtering
直流反应磁控溅射
1.
Influence of substrate-to-target distance on optical property of TiO_2 thin film prepared by DC reactive magnetron sputtering;
靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响
2.
TiO_2 thin films were deposited on ITO, which has been deposited on quartz substrate, by way of DC reactive magnetron sputtering.
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜。
3.
N-doped ZnO thin films were prepared on glass substrates by DC reactive magnetron sputtering using a pure zinc disk as target and Ar-N2-O2 mixture as sputtering gas.
利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。
6) reactive d.c.magnetron sputtering
反应直流磁控溅射
1.
The SiO_2 films at various O_2/Ar flow ratios were prepared by reactive d.
在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜。
补充资料：直流溅射
分子式：
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条