1) RF reactive co-sputtering
射频反应共溅射
1.
Indium-doped zinc oxide films of various contents of In were deposited on silicon substrates by RF reactive co-sputtering.
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响。
2) reactive co-sputtering
共反应溅射
1.
A new gate dielectric material,HfTiON,is deposited by reactive co-sputtering of Hf and Ti targets in N2/O2 ambient,followed by anneal in N2 at 600 °C and 800 °C respectively for 2 mins.
在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2min。
3) reactive radio frequency sputtering
射频反应溅射
1.
Amorphous Al2O3 dielectric films have been fabricated by reactive radio frequency sputtering method.
利用射频反应溅射方法制备了Al2O3非晶薄膜,用椭圆偏振仪获得了薄膜的厚度,用高频C-V和变频C-V及J-V测量了薄膜的电学特性,用X射线以衍射(XRD)检测了薄膜的结构,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌。
4) RF reactive sputtering
射频反应溅射
1.
The TaO x films with thickness greater than 200nm have been made on the substrate of WO 3/ITO/Glass by rf reactive sputtering processes with various oxygen contents.
利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以ＷＯ３／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ为基体，制备了一系列厚度大于２００ｎｍ的ＴａＯｘ薄膜，并用Ａｒｎｏｌｄｕｓｓｅｎ方法检测离子导电性能。
2.
The influence of reactive gas (O2) content and substrate temperature on the RF reactive sputtering deposited rate and optical characteristics for the SiO2 film was studied.
研究反应气体（Ｏ_２）含量及基片温度对射频反应溅射ＳｉＯ_２膜光学性能及沉积速率的影响，并给出了膜层俄歇能谱分析结果。
3.
Titanium nitride film has been grown on glass substrate by RF reactive sputtering with a mixture of high purity argon and nitrogen used as sputtering and reactive gases,respectively.
用射频反应溅射的方法制备了 TiN 薄膜,其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中 N_2分量有直接关系。
5) RF reactive sputter
射频(RF)反应溅射
6) radio-frequency reactive sputtering
射频反应溅射
1.
Transparent and conductive oxides CdIn 2O 4 thin films were prepared by radio-frequency reactive sputtering from a Cd-In alloy target in Ar+O 2 atmosphere.
在Ar +O2 气氛中 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 薄膜 。
补充资料：射频溅射
分子式：
CAS号：
性质：利用射频放电产生的离子轰击靶材进行溅射的镀膜技术。射频溅射装置主要由真空室、真空系统和射频溅射电源构成。溅射出来的靶材原子沉积在工件上形成镀层，射频溅射电源的频率规定为13.56MHz。在相同靶功率密度和工作气体压强的条件下，射频溅射的镀膜速率与直流溅射相近。其特点是可采用绝缘材料作靶，镀制陶瓷和高分子膜。由于射频溅射的镀膜速度低，并且射频辐射对人体有害，因而限制了它的广泛应用。
CAS号：
性质：利用射频放电产生的离子轰击靶材进行溅射的镀膜技术。射频溅射装置主要由真空室、真空系统和射频溅射电源构成。溅射出来的靶材原子沉积在工件上形成镀层，射频溅射电源的频率规定为13.56MHz。在相同靶功率密度和工作气体压强的条件下，射频溅射的镀膜速率与直流溅射相近。其特点是可采用绝缘材料作靶，镀制陶瓷和高分子膜。由于射频溅射的镀膜速度低，并且射频辐射对人体有害，因而限制了它的广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条