1) RF/DC magnetron sputtering
直流/射频共溅射
1.
The p-type ZnO:Al films deposited by RF/DC magnetron sputtering at room temperature were treated by gaseous ammonia annealing.
采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜。
2) DC co-sputtering
直流共溅射
3) DC magnetron co-sputtering
直流磁控共溅射
4) DC reactive co-sputtering
直流反应共溅射
5) DC sputtering
直流溅射
1.
Fabrication and properties of (100) oriented MgO by DC sputtering on Si substrate
择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征
2.
ZnO:Al films with different thickness were prepared by using a simple DC sputtering system.
介绍了如何把“透明电极薄膜的制备及其电阻率测量”的实验引入到普通物理实验教学中,用简单的直流溅射镀膜仪制备不同厚度的金属氧化物透明电极薄膜(ZnO:A l薄膜),并用四探针测量了它们的电阻率。
3.
The coating technology of inner wall of stainless steel pipe with TiN film by DC sputtering is presented in detail in this paper.
介绍了对不锈钢管道大面积内壁用直流溅射方法镀TiN薄膜的技术及工艺,并分析了薄膜的相关参数,测试了镀膜管道的真空性能。
6) direct-current sputtering
直流溅射
1.
The techniques of depositing zinc thin film on grass substrate by vacuum evaporation and direct-current sputtering were investigated with XRD, SEM and AFM in this paper.
本论文对真空蒸发法和直流溅射法沉积锌膜的工艺进行了研究,结合XRD、SEM、AFM等分析手段,以探索这两种方法在制备锌膜方面的一般规律。
补充资料：射频溅射
分子式：
CAS号：
性质：利用射频放电产生的离子轰击靶材进行溅射的镀膜技术。射频溅射装置主要由真空室、真空系统和射频溅射电源构成。溅射出来的靶材原子沉积在工件上形成镀层，射频溅射电源的频率规定为13.56MHz。在相同靶功率密度和工作气体压强的条件下，射频溅射的镀膜速率与直流溅射相近。其特点是可采用绝缘材料作靶，镀制陶瓷和高分子膜。由于射频溅射的镀膜速度低，并且射频辐射对人体有害，因而限制了它的广泛应用。
CAS号：
性质：利用射频放电产生的离子轰击靶材进行溅射的镀膜技术。射频溅射装置主要由真空室、真空系统和射频溅射电源构成。溅射出来的靶材原子沉积在工件上形成镀层，射频溅射电源的频率规定为13.56MHz。在相同靶功率密度和工作气体压强的条件下，射频溅射的镀膜速率与直流溅射相近。其特点是可采用绝缘材料作靶，镀制陶瓷和高分子膜。由于射频溅射的镀膜速度低，并且射频辐射对人体有害，因而限制了它的广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条