1) DC reactive magnetron sputtering (DC-RMS)
直流反应磁控溅射(DC-RMS)
2) direct current(DC) magnetron sputtering
直流(DC)磁控溅射
3) direct current pulse magnetron sputtering(DC-PMS)
直流脉冲磁控溅射(DC-PMS)
4) DC reactive magnetron sputtering
直流反应磁控溅射
1.
Influence of substrate-to-target distance on optical property of TiO_2 thin film prepared by DC reactive magnetron sputtering;
靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响
2.
TiO_2 thin films were deposited on ITO, which has been deposited on quartz substrate, by way of DC reactive magnetron sputtering.
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜。
3.
N-doped ZnO thin films were prepared on glass substrates by DC reactive magnetron sputtering using a pure zinc disk as target and Ar-N2-O2 mixture as sputtering gas.
利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。
5) reactive d.c.magnetron sputtering
反应直流磁控溅射
1.
The SiO_2 films at various O_2/Ar flow ratios were prepared by reactive d.
在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜。
6) dc reactive magnetron sputtering
直流反应磁控溅射法
1.
CdIn2O4(CIO) thin films were grown by DC reactive magnetron sputtering.
利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。
2.
A novel type of transparent conductive oxide thin film of molybdenum-doped indium oxide(IMO) was prepared by DC reactive magnetron sputtering at room temperature.
在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3∶Mo薄膜。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条