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1)  PECVD
PECVD法
1.
Amorphous silicon films prepared by PECVD on the glass substrate have been crystallized by conventional furnace annealing(FA) at middle temperature.
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-S i:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。
2.
Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at 30℃,350℃,450℃ substrate temperatures,annealed at 850℃ by conventional furnace for 3h and pulsed rapid thermal method for 5min was studied by using Raman,XRD and SEM.
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀。
3.
Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at the temperature 200,250,300,350,400,450?℃ and stored for three months,then annealed at 450℃ has been studied by using micro-Raman scattering.
通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶。
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2)  MOPECVD technique
MO-PECVD方法
3)  RF_PECVD
RF-PECVD方法
4)  MO-PECVD technique
MO-PECVD
5)  plasma enhanced chemical vapor depositon (PECVD)
等离子体化学汽相沉积法(PECVD)
6)  PECVD technique
PECVD技术
1.
Sillicon nanocrystals embedded in a－ SiO_x:H (0 PECVD technique and high－ temperature annealing treatment.
采用 PECVD技术制备的 a－ SiO_x:H (0 SiO_x:H基质的量子点复合膜（ nc－ Si/a－ SiO_x:H）。
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补充资料：法性属法为法性土
【法性属法为法性土】
　　谓真如法性之理，譬如虚空，遍一切处，乃是法身所证之体，即为所依之土，故名法性属法，为法性土。
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