1) PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)
PECVD(等离子体增强化学气相沉积)
2) PECVD
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
1.
PECVD and magnetron sputtering ITO are used to fabricate LEDs with different surface structures on DBR epilayer substrates.
用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED。
3) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
等离子增强化学气相沉积(PECVD)
4) VHF-PECVD
甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)
1.
This paper studies the deposition of the transition p layer (from microcrystalline phase to amorphous phase) as window layer in high-rate deposition of amorphous silicon thin film solar cells by using very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD).
研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。
5) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
等离子体增强化学气相淀积(PECVD)
6) ECR-PSll/ECR-PECVD
ECR离子注入/化学气相增强沉积(psll/PECVD)
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条