1) ECR-PSll/ECR-PECVD
ECR离子注入/化学气相增强沉积(psll/PECVD)
2) PECVD
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
1.
PECVD and magnetron sputtering ITO are used to fabricate LEDs with different surface structures on DBR epilayer substrates.
用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED。
3) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
等离子增强化学气相沉积(PECVD)
4) PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)
PECVD(等离子体增强化学气相沉积)
5) VHF-PECVD
甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)
1.
This paper studies the deposition of the transition p layer (from microcrystalline phase to amorphous phase) as window layer in high-rate deposition of amorphous silicon thin film solar cells by using very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD).
研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。
6) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
等离子体增强化学气相淀积(PECVD)
补充资料：离子注入气
分子式：
CAS号：
性质：离子注入是把离子化的杂质，例如P+，B+，As+加速到高能量状态，然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制Vth(阈值电压)方面应用得最为广泛。注入的杂质量可通过测量离子束电流而求得。离子注入工艺所用气体称离子注入气，有磷系、硼系和砷系气体。
CAS号：
性质：离子注入是把离子化的杂质，例如P+，B+，As+加速到高能量状态，然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制Vth(阈值电压)方面应用得最为广泛。注入的杂质量可通过测量离子束电流而求得。离子注入工艺所用气体称离子注入气，有磷系、硼系和砷系气体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条