1) reactive d.c.magnetron sputtering
反应直流磁控溅射
1.
The SiO_2 films at various O_2/Ar flow ratios were prepared by reactive d.
在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜。
2) DC reactive magnetron sputtering
直流反应磁控溅射
1.
Influence of substrate-to-target distance on optical property of TiO_2 thin film prepared by DC reactive magnetron sputtering;
靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响
2.
TiO_2 thin films were deposited on ITO, which has been deposited on quartz substrate, by way of DC reactive magnetron sputtering.
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜。
3.
N-doped ZnO thin films were prepared on glass substrates by DC reactive magnetron sputtering using a pure zinc disk as target and Ar-N2-O2 mixture as sputtering gas.
利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。
3) dc reactive magnetron sputtering
直流反应磁控溅射法
1.
CdIn2O4(CIO) thin films were grown by DC reactive magnetron sputtering.
利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。
2.
A novel type of transparent conductive oxide thin film of molybdenum-doped indium oxide(IMO) was prepared by DC reactive magnetron sputtering at room temperature.
在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3∶Mo薄膜。
4) DC magnetron reactive sputtering
直流磁控反应溅射
1.
AlN thin films for high temperature pressure sensor were successfully deposited by DC magnetron reactive sputtering.
采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜。
2.
Aluminum nitride (AlN) thin films have been successfully deposited on Si(100) and Pt/Ti/Si(100) byDC magnetron reactive sputtering.
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。
3.
Aluminum nitride (AlN) thin films have been successfully deposited on Si(100) and Pt/Ti/Si(100) by DC magnetron reactive sputtering.
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。
5) DC magnetron reactive sputtering technique
直流磁控反应溅射法
1.
The effect on the electrical and optical properties is studied as ITO transparent conductive thin films prepared by DC magnetron reactive sputtering technique with different deposition parameters.
论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 。
6) Mid-frequency direct current magnetron sputtering
中频直流反应磁控溅射
补充资料：溅射现象
分子式：
CAS号：
性质： 用具有一定能量的离子束或中性原子束轰击固体，会引起固体表面分子、原子或原子团的次级发射的现象。溅射出的粒子多为中性粒子或分子，少部分为带正、负电荷的离子，称为次级离子。描述溅射现象的主要参量是溅射阀能、溅射产率和溅射速度。溅射阀能定义为：开始出现溅射时初级离子的能量。对普通金属而言，溅射阀能约为10～30eV。溅射产率定义为：一个一次离子所溅射出的二次粒子(中性粒子和次级离子)的总数。溅射速度定义为：单位时间溅射的深度。溅射主要用于固体表面分析和进行深度剖面分析。如在二次离子质谱法(SIMS)中提供次级离子或在溅射中性粒子质谱法(SNMS)中提供中性粒子。也常用于清洁固体表面。
CAS号：
性质： 用具有一定能量的离子束或中性原子束轰击固体，会引起固体表面分子、原子或原子团的次级发射的现象。溅射出的粒子多为中性粒子或分子，少部分为带正、负电荷的离子，称为次级离子。描述溅射现象的主要参量是溅射阀能、溅射产率和溅射速度。溅射阀能定义为：开始出现溅射时初级离子的能量。对普通金属而言，溅射阀能约为10～30eV。溅射产率定义为：一个一次离子所溅射出的二次粒子(中性粒子和次级离子)的总数。溅射速度定义为：单位时间溅射的深度。溅射主要用于固体表面分析和进行深度剖面分析。如在二次离子质谱法(SIMS)中提供次级离子或在溅射中性粒子质谱法(SNMS)中提供中性粒子。也常用于清洁固体表面。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条