2) dc reactive magnetron sputtering
直流反应磁控溅射法
1.
CdIn2O4(CIO) thin films were grown by DC reactive magnetron sputtering.
利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。
2.
A novel type of transparent conductive oxide thin film of molybdenum-doped indium oxide(IMO) was prepared by DC reactive magnetron sputtering at room temperature.
在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3∶Mo薄膜。
3) DC magnetron reactive sputtering technique
直流磁控反应溅射法
1.
The effect on the electrical and optical properties is studied as ITO transparent conductive thin films prepared by DC magnetron reactive sputtering technique with different deposition parameters.
论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 。
4) DC magnetron co-sputtering
直流磁控共溅射
5) DC magnetron sputtering
直流磁控溅射
1.
Microstructures and Properties of Tantalum Film Grown by DC Magnetron Sputtering;
直流磁控溅射沉积钽膜的结构与性能研究
2.
Effects of thickness on microstructure and properties of Niobium films deposited by DC magnetron sputtering;
膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响
3.
Optical and electrical properties of ITO thin films deposited by DC magnetron sputtering at room temperature;
室温直流磁控溅射制备ITO膜及光电性能研究
6) direct current(DC) magnetron sputtering
直流(DC)磁控溅射
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条