1) ECR D.C. magnetron sputtering
ECR直流磁控溅射
1.
The properties of Ni-Mn-Ga films prepared by ECR D.
本文使用ECR直流磁控溅射的方法制备了Ni-Mn-Ga薄膜,并对其特性进行了初步研究,以期对这种新型的铁磁形状记忆合金(FSMA)薄膜进行初步探索。
2) ECR magnetron sputtering
ECR磁控溅射
1.
The NiMn-Ga thin films were deposited on NaCl substrate via ECR magnetron sputtering process,of which the sputtering power is discussed.
本文使用ECR磁控溅射方法在N aC l晶片上制备出了N i-M n-G a薄膜,并对其制备溅射功率进行了探讨。
3) DC magnetron co-sputtering
直流磁控共溅射
4) DC magnetron sputtering
直流磁控溅射
1.
Microstructures and Properties of Tantalum Film Grown by DC Magnetron Sputtering;
直流磁控溅射沉积钽膜的结构与性能研究
2.
Effects of thickness on microstructure and properties of Niobium films deposited by DC magnetron sputtering;
膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响
3.
Optical and electrical properties of ITO thin films deposited by DC magnetron sputtering at room temperature;
室温直流磁控溅射制备ITO膜及光电性能研究
6) direct current(DC) magnetron sputtering
直流(DC)磁控溅射
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条