1) direct current(DC) magnetron sputtering
直流(DC)磁控溅射
2) direct current pulse magnetron sputtering(DC-PMS)
直流脉冲磁控溅射(DC-PMS)
3) DC reactive magnetron sputtering (DC-RMS)
直流反应磁控溅射(DC-RMS)
4) DC magnetron co-sputtering
直流磁控共溅射
5) DC magnetron sputtering
直流磁控溅射
1.
Microstructures and Properties of Tantalum Film Grown by DC Magnetron Sputtering;
直流磁控溅射沉积钽膜的结构与性能研究
2.
Effects of thickness on microstructure and properties of Niobium films deposited by DC magnetron sputtering;
膜厚对直流磁控溅射Nb薄膜微结构的影响
3.
Optical and electrical properties of ITO thin films deposited by DC magnetron sputtering at room temperature;
室温直流磁控溅射制备ITO膜及光电性能研究
补充资料:磁控溅射
分子式:
CAS号:
性质:用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场,在磁场作用下,电子被约束在一个环状空间内,形成高密度的等离子环。在等离子环内,电子不断地使Ar原子变成Ar离子,Ar离子被加速后打向靶表面,把靶内的原子溅射出来,沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体,溅射电源可用直流或射频电源,如靶材是绝缘体,则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上,称为正轴溅射,基片放在靶轴线外;称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号:
性质:用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场,在磁场作用下,电子被约束在一个环状空间内,形成高密度的等离子环。在等离子环内,电子不断地使Ar原子变成Ar离子,Ar离子被加速后打向靶表面,把靶内的原子溅射出来,沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体,溅射电源可用直流或射频电源,如靶材是绝缘体,则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上,称为正轴溅射,基片放在靶轴线外;称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条