1) In_xGa_ 1-x N alloy
InxGa1-xN合金
2) In_xGa_(1-x)N/GaN quantum dots
InxGa1-xN/GaN量子点
3) In_xGa_ 1-xN/GaN-MQWs
InxGa1-xN/GaN多量子阱
4) Al_xGa_(1-x)N
AlxGa1-xN
1.
The effect of strain on band structure and bowing parameters of Al_xGa_(1-x)N which is pseudomorphically strained was analyzed theoretically.
在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。
5) AlxGa1-xN
AxlGa1-xN
6) x~n≡a(modm)
xn≡a(modm)
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条