1) InxGa1-xN thin film
InxGa1-x薄膜
2) Cu(In_xGa_ 1-x)Se_2(CIGS)
Cu(InxGa1-x)Se2
3) titanium carbonitride thin film
TiCxN1-x薄膜
4) boron nitride phosphide(BN_xP_(1-x)) films
BNxP1-x薄膜
5) Fe x Sn 100-x films
FexSn100-x薄膜
6) BP-xN 1-x
BPxN1-x薄膜
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条