1) Al xGa 1-xN/GaN
AlxG1-xN/GaN
2) Al x Ga 1-x N/GaN heterostructure
AlxGa1-xN/GaN异质结构
3) Al_xGa_ 1-x N/GaN double quantum wells
AlxGa1-xN/GaN双量子阱
4) GaN/Al_xGa_(1-x)N quantum dots
GaN/AlxGa1-xN量子点
5) GaN/Al_xGa_1-xN heterojunction
GaN/AlxGa1-xN异质结
1.
A modified variational method is adopted to investigate the binding energies of the shallow impurity states near the interface of a strained GaN/Al_xGa_1-xN heterojunction by using a simplified coherent potential approximation.
对应变GaN/AlxGa1-xN异质结系统,考虑理想界面突变势垒,引入简化相干势近似,采用变分法讨论了流体静压力下外界电场对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。
6) Al xGa 1-x N/GaN heterostructure
AlxGa1-xN/GaN异质结
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条