1) low pressure MOCVD(LP-MOCVD)
低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)
2) LP-MOVPE
低压金属有机化学气相外延
1.
AlGaInAs strain-compensated quantum wells have been grown by LP-MOVPE.
通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。
2.
High quality AlGaInAs/InP strain-compensated quantum well structure has been grown by LP-MOVPE for the first time at home and devices have been fabricated with the materials.
3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 。
3) low pressure metal-organic vapor phase epitaxy(LP-MOVPE)
低压金属有机汽相外延(LP-MOVPE)
4) LP_MOCVD
低压金属有机化合物气相外延
5) metal organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相外延
6) metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
补充资料：低压
1.物理学上指较低的压力。 2.较低的电压，通常指二百五十伏特以下的电压。 3.心脏舒张时血液对血管的压力。也叫舒张压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条