1) atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition
常压金属有机物化学气相沉积
2) atmospheric pressure-metal organic chemical vapor deposition
常压有机金属化学气相沉积
3) MOCVD
金属有机化学气相沉积
1.
The Influential Factors of MOCVD Growth of InP in Opals;
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.
Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process;
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.
The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
4) MOCVD
有机金属化学气相沉积
1.
Effect of Growth Cycle on SiO_2-InP Fabricated by MOCVD;
生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO_2-InP光子晶体的影响
5) Metalorganic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
Phosphorus-doped p-type ZnO thin films are prepared on glass substrates by metalorganic chemical vapor deposition.
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜。
2.
p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱。
6) metal-organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition at 300℃.
采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜。
2.
The ZnO films, grown on sapphire or silicon substrates, have been investigated by several methods such as Molecular Beam Epitaxy, Sputtering, and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and so on.
生长ZnO薄膜材料的方法很多,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、原子层外延、磁控溅射和蒸发等其中MBE、MOCVD和PLD等方法生长的ZnO薄膜质量较高。
补充资料：金属有机物化学气相沉积
金属有机物化学气相沉积(metal organic chemical vapour deposition)
又称有机金属化合物气相淀积法。一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。该方法现在主要用于化合物半导体的气相生长上。用该法制备薄膜时，作为含有化合物半导体元素的原料化合物，必须满足常温稳定且易处理，在室温附近有适当的蒸气压，反应的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层等条件。因此常选用金属的烷基或芳基衍生物，羟基衍生物、羟基衍生物等为原料。它最主要的特点是沉积温度低。另外由于不采用卤化物原料，因此在沉积中不存在刻蚀反应;适用范围广，几乎可生长所有化合物和合金半导体;生长温度范围宽，适宜大批量生产。但该方法也存在一些缺点:难以进行原位监测生长过程，许多有机金属化合物蒸气有毒、易燃;反应温度低，因此有时在气相中就发生反应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条