1) MOCVD
有机金属化学气相沉积
1.
Effect of Growth Cycle on SiO_2-InP Fabricated by MOCVD;
生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO_2-InP光子晶体的影响
2) MOCVD
金属有机化学气相沉积
1.
The Influential Factors of MOCVD Growth of InP in Opals;
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.
Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process;
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.
The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
3) Metalorganic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
Phosphorus-doped p-type ZnO thin films are prepared on glass substrates by metalorganic chemical vapor deposition.
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜。
2.
p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱。
4) metal-organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition at 300℃.
采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜。
2.
The ZnO films, grown on sapphire or silicon substrates, have been investigated by several methods such as Molecular Beam Epitaxy, Sputtering, and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and so on.
生长ZnO薄膜材料的方法很多,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、原子层外延、磁控溅射和蒸发等其中MBE、MOCVD和PLD等方法生长的ZnO薄膜质量较高。
5) AP-MOCVD
大气开放式金属有机化学气相沉积
6) MOCVD
金属有机化合物化学气相沉积
1.
Ir/C cluster films were prepared by MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) on quartz plate substrates using iridium-acetylacetonate as the precursor.
以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜。
补充资料：有机金属
分子式：
CAS号：
性质：又称有机导体，为一类具有导电性的有机电荷转移复合物。这类复合物是由电子给体与电子受体组成。典型的例子有TTF-TCNQ，TTF-TNAF复合物。根据电荷转移程度可分为分子晶体和电荷转移晶体。在电荷转移晶体中，视离子化程度又有离子晶体和混合价晶体之分。前者为离子电导，后者为电子电导。有机金属的电导具有：(1)强烈的各向异性，沿着π电子云相互交叠的分子堆砌方向电导最高，而垂直于该方向的电导较差；(2)金属态的失稳性，晶体生长方向的电导率随温度降低而升高，在一定低温域出现电导降，然后向半导态和绝缘态转化，这种金属态的不稳定性在有机金属中普遍存在。
CAS号：
性质：又称有机导体，为一类具有导电性的有机电荷转移复合物。这类复合物是由电子给体与电子受体组成。典型的例子有TTF-TCNQ，TTF-TNAF复合物。根据电荷转移程度可分为分子晶体和电荷转移晶体。在电荷转移晶体中，视离子化程度又有离子晶体和混合价晶体之分。前者为离子电导，后者为电子电导。有机金属的电导具有：(1)强烈的各向异性，沿着π电子云相互交叠的分子堆砌方向电导最高，而垂直于该方向的电导较差；(2)金属态的失稳性，晶体生长方向的电导率随温度降低而升高，在一定低温域出现电导降，然后向半导态和绝缘态转化，这种金属态的不稳定性在有机金属中普遍存在。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条