1) metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)
金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
1.
36N multiple quantum wells(MQWs)structure for deep ultraviolet emission has been grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0。
2) metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
3) MOCVD
金属有机化学气相淀积
4) MOCVD
金属有机化合物化学气相淀积
1.
This paper presents a new fuzzy predictive control method for the MOCVD device control system set to handle the non-linearity,time variability and large delay of plant controls.
为解决金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)设备温度控制的非线性、时变性以及大滞后等问题,给出了一种用模糊控制和预测控制相结合的复合控制方法。
5) MOCVD
金属有机物化学气相淀积
1.
The GaN-based wafers for UV photodetectors array are grown successfully by MOCVD method.
报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料,生长的高Al组分AlxGa1-xN(x≥0。
6) metal organic chemical vapor deposition
金属有机物化学气相淀积
1.
The device structure is optimized firstly,then the structure is grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD).
首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。
2.
The p-type GaN(p-GaN) samples grown at low temperature 870—980℃ on sapphire substrate were prepared by the metal organic chemical vapor deposition technique(MOCVD), and their electrical properties were investigated.
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN)。
补充资料：金属
分子式：
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条