1) metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延
1.
In this paper,GaN films are grown by metal organic vapor phase epitaxy.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系。
2) MOVPE
金属有机物气相外延
1.
This paper was overviewed the basic properties of GaN-based material,analyzed key technologies in making blue GaN-based LEDs,such as MOVPE,P-doping ohmic contact,etching and chip dicing saw,and introduced recent progresses of technologies at present.
本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延,P型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指出了需要改进的问题,展望了末来的研究方向。
2.
The relation between control parameters and the Al solid\|vapor distribution coefficient kAl is deduced for the atmospheric pressure MOVPE (AP\|MOVPE) growth of AlGaAs and based on this relation the data from AP\|MOVPE growth of AlGaAs are analyzed.
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究。
3) metal organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相外延
4) metalorganic vapor phase epitaxy
金属有机化学气相外延法
1.
95% strain, 11 nm well width) in active region was grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP MOVPE).
采用低压金属有机化学气相外延法 (LP MOVPE)生长并制作了 1 3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器 (SOA) ,有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 (4C3T)结构 ,压应变阱宽为 6nm ,应变量 1 0 % ,张应变阱宽为 11nm ,应变量 - 0 95 % ;器件制作成 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。
5) LP_MOCVD
低压金属有机化合物气相外延
6) LP-MOVPE
低压金属有机化学气相外延
1.
AlGaInAs strain-compensated quantum wells have been grown by LP-MOVPE.
通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。
2.
High quality AlGaInAs/InP strain-compensated quantum well structure has been grown by LP-MOVPE for the first time at home and devices have been fabricated with the materials.
3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 。
补充资料：金属有机化合物气相外延
金属有机化合物气相外延
metalorganic vapor phase epitaxy
物的缺点是价格昂贵。③在图形衬底上或在聚焦离子中选择生长化合物半导体薄膜材料。选择外延是一种直接控制横向尺寸的外延方法。它可以在亚微米级水平上从 实现典型的平面结构沉积至完成任意横向侧面沉 积。MOVPE在本质上通常是平面结构生长的。 但如果应用了卤化物为基的MO源，例如(CZHS) GaCI和(CZHS)ZAICI，则可以进行广阔的生长条 件范围内的GaAs和GaAIAs的选择外延。这样 形成的小面积、亚微米的选择异质结构表明，它是 选择外延在横向限定生长结构中最早应用的。③利 用应变层在超出晶格匹配的体系中扩大外延材料的 生长和应用。这方面原子层外延(ALE)是制备应 变层超晶格(SLS)结构的有力手段，因为ALE可 以被逐层生长模型的自限制机理控制为单原子层生 长。④生长新的化合物材料体系，例如GalnAssb 和GaAIA息Sb，InAssb，GalnP和AIGalnP， GaN和AIN，SIGe，Znse和CdZnTe/ZnTe以 及HgCdTe/CdTe等。此外，MOVPE也用于试制高温超导薄膜。由于MOVPE和LPE一样，需要足够的相图，溶解度和要求与衬底的晶格匹配，因此MOVPE的高温超导薄膜生长过程比较复杂，使之只获得部分的成功。MOVPE生长高温超导薄膜的质量较高和生长速率较快。今后在这方面尚需改进MOVPE技术，优化MO源和了解MO源的分解和表面反应等。在MOVPE材料制成的新器件中，主要有面发光激光器、短波长(0.62一0.67召m)的GalnP/GaAllnP发光管和激光器、应变量子阱激光器和量子阱红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条