1) lithography development
光刻显影
1.
Meanwhile,a model for lithography development based on the Dill algorithm,the Kim model and the ray algorithm is established.
为此提出基于层次结构的三维场景绘制点渲染算法,并引入网格插值法填补显影模拟中在光刻胶表面出现的空洞,用Dill算法、Kim模型和介质光线算法建立光刻显影模型。
2) development free vapor photolithography (DFVP)
无显影气相光刻
3) develop check
光刻胶显影检查
4) photoresist developer
光刻胶显影剂
6) self developing resist
自显影光刻胶
补充资料：负型光刻胶显影剂
分子式：
CAS号：
性质：由混合烷烃经1.0μm过滤膜过滤制得。为无色透明液体，易挥发，能与苯类、三氯甲烷、油类等混合，不溶于水，易燃。用于负型光刻胶显影。
CAS号：
性质：由混合烷烃经1.0μm过滤膜过滤制得。为无色透明液体，易挥发，能与苯类、三氯甲烷、油类等混合，不溶于水，易燃。用于负型光刻胶显影。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条