3) develop check
光刻胶显影检查
4) photoresist developer
光刻胶显影剂
5) self developing resist
自显影光刻胶
6) lithography development
光刻显影
1.
Meanwhile,a model for lithography development based on the Dill algorithm,the Kim model and the ray algorithm is established.
为此提出基于层次结构的三维场景绘制点渲染算法,并引入网格插值法填补显影模拟中在光刻胶表面出现的空洞,用Dill算法、Kim模型和介质光线算法建立光刻显影模型。
补充资料：负型光刻胶显影剂
分子式：
CAS号：
性质：由混合烷烃经1.0μm过滤膜过滤制得。为无色透明液体，易挥发，能与苯类、三氯甲烷、油类等混合，不溶于水，易燃。用于负型光刻胶显影。
CAS号：
性质：由混合烷烃经1.0μm过滤膜过滤制得。为无色透明液体，易挥发，能与苯类、三氯甲烷、油类等混合，不溶于水，易燃。用于负型光刻胶显影。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条