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1)  PIIID
等离子体浸没离子注入与沉积(PIIID)
1.
Titanium nitride(TiN) hard protective films were fabricated on AISI52100 bearing steel surface employing plasma immersion ion implantation and deposition(PIIID) technique.
用等离子体浸没离子注入与沉积(PIIID)复合强化新技术在AISI52100轴承钢基体表面成功合成了硬而耐磨的氮化钛薄膜。
2)  Metal plasma immersion ion implantation and deposition
金属等离子体浸没离子注入与沉积
3)  Plasma Immersion Ion Implantation and deposition
等离子体浸没离子注入与沉积
1.
Using plasma immersion ion implantation and deposition (PIIID), Ti/DLC and W/DLC multilayer were synthesized on GCr15 and 2Cr13 steel.
本研究采用等离子体浸没离子注入与沉积(PIIID)技术在GCr15钢和2Cr13钢表面制备了Ti/DLC和W/DLC纳米多层薄膜,DLC、Ti和W层均通过PIIID技术中的阴极弧沉积方法来制备。
4)  plasma immersion ion implantation and deposition(PIII&D)
等离子体浸没离子注入与沉积(PIII&D)
5)  Plasma immersion ion implantation and deposition (PIII&D)
等离子体浸没离子注入与沉积(PⅢ&D)
6)  Plasma immersion ion implantation-ion beam assisted deposition (PIII-IBAD)
等离子体浸没式离子注入离子束增强沉积(PIIIIBAD)
补充资料:等离子体增强化学气相沉积


等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition

等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态,产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等,促进化学反应,在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现,20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下,气体分子成为电离状态,通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中,电子由于平均自由程大而得以加速,与中性分子或原子发生碰撞。其中,弹性碰撞使气体温度升高,而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化,产生化学活性的离子和原子团,促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体,一般采用高频电源,频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜,热损失少,从而抑制了与衬底的反应,并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤,产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法,这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条