1) plasma immersion ion implantation & deposition (PIII&D)
等离子浸没式离子注入
2) Plasma immersion ion implantation
等离子体浸没离子注入
1.
Surface modification process and mechanism of 9Cr18 bearing steel using nitrogen plasma immersion ion implantation;
9Cr18轴承钢氮等离子体浸没离子注入表面改性工艺及机理的研究
2.
Influence of pulse duration on deflecting electric field inner surface plasma immersion ion implantation;
脉冲宽度对偏转电场法内表面等离子体浸没离子注入的影响
3.
Development of plasma immersion ion implantation and surface strengthening technique;
等离子体浸没离子注入及表面强化工艺的进展
3) plasma immersion ion implantation(PIII)
等离子体浸没离子注入
1.
Plasma immersion ion implantation(PIII) for a planar target was simulated using 2D particle-in-cell(PIC) model.
采用二维元胞粒子模型(PIC),模拟了一个完整脉冲时段内,等离子体浸没离子注入平板靶的过程。
4) PIII
等离子体浸没式离子注入
1.
TiN films were prepared by a new plasma immersion ion implantation-ion beam assisted deposition(PIII-IBAD) on Cr12MoV steel.
用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术(PIII),在Cr12MoV钢基体上制备了TiN膜,经XPS分析发现,膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3。
5) plasma immersion ion implantation (PⅢ)
等离子体浸没式离子注入(PⅢ)
6) Plasma immersion ion implantation-ion beam assisted deposition (PIII-IBAD)
等离子体浸没式离子注入离子束增强沉积(PIIIIBAD)
补充资料：离子注入（ionimplantation）
离子注入（ionimplantation）
用离子加速器将各种离子注入半导体材料，从而改变半导体材料的电学、光学或其他物理性质的半导体工艺技术，称为离子注入技术。自从20世纪70年代以来离子注入技术在半导体器件制备工艺中获得了广泛应用，是半导体器件工艺的最主要技术之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条