2) Plasma immersion ion implantation
等离子体浸没离子注入
1.
Surface modification process and mechanism of 9Cr18 bearing steel using nitrogen plasma immersion ion implantation;
9Cr18轴承钢氮等离子体浸没离子注入表面改性工艺及机理的研究
2.
Influence of pulse duration on deflecting electric field inner surface plasma immersion ion implantation;
脉冲宽度对偏转电场法内表面等离子体浸没离子注入的影响
3.
Development of plasma immersion ion implantation and surface strengthening technique;
等离子体浸没离子注入及表面强化工艺的进展
3) plasma immersion ion implantation(PIII)
等离子体浸没离子注入
1.
Plasma immersion ion implantation(PIII) for a planar target was simulated using 2D particle-in-cell(PIC) model.
采用二维元胞粒子模型(PIC),模拟了一个完整脉冲时段内,等离子体浸没离子注入平板靶的过程。
4) N+ plasma ion implantation
氮等离子浸没注入
1.
Objective To study the effect of N+ ion sputtering and N+ plasma ion implantation on the microorganisms adhesion to the surface of Co-Cr alloy.
目的研究氮离子溅射和氮等离子浸没注入对钴铬合金表面微生物黏附附能力的影响。
2.
Objective:To study the influence of N+ ion sputtering and N+ plasma ion implantation on clinically used Ti on adhesion of bacteria.
目的:研究氮离子溅射和氮等离子浸没注入对纯钛表面细菌粘附能力的影响。
5) PⅢ
等离子体浸没注入技术
补充资料：离子注入掺杂
分子式：
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条